來(lái)源：新浪VR
臺(tái)積電在其年度技術(shù)研討會(huì)上詳細(xì)介紹了即將到來(lái)的工藝，包括5nm（NP5和N4）和3nm（將成為一個(gè)成熟的節(jié)點(diǎn)）。前者將基于第二代DUV（深紫外）和EUV（極紫外）節(jié)點(diǎn)，繼7nm +工藝之后。
然后，我們有了7nm節(jié)點(diǎn)的“真正”繼承者，即N5（5nm EUV）工藝，按照臺(tái)積電計(jì)劃，該工藝正在按計(jì)劃進(jìn)行，其良率要高于N7（7nm）節(jié)點(diǎn)在同一階段的工藝。代工廠已經(jīng)以N5P工藝的形式準(zhǔn)備了N5的后繼產(chǎn)品，它將比基礎(chǔ)5nm節(jié)點(diǎn)快5%，功率效率提高10%。
之后，臺(tái)積電（TSMC）尋求引入N4節(jié)點(diǎn)，這是對(duì)N5工藝的另一種改進(jìn)，它使用附加的EUV層來(lái)提高密度和性能。N4的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)定于2021年第四季度，其次是2022年的批量生產(chǎn)。
最后，我們擁有3nm（N3）節(jié)點(diǎn)，它將成為5nm工藝的“真正”繼承者。與三星的3nm節(jié)點(diǎn)將利用GAA（全能門(mén)）晶體管技術(shù)不同，臺(tái)積電將繼續(xù)使用FinFet并仍然實(shí)現(xiàn)1.7倍的驚人密度密度。根據(jù)鑄造廠自己的數(shù)據(jù)，N3將比N5快10-15%，功率效率提高近30%。N3將于2021年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將于2022年下半年與N4同年開(kāi)始批量生產(chǎn)。
發(fā)布3nm和未來(lái)：3D封裝和超越硅
與英特爾其他代工廠的工作保持一致，臺(tái)積電還更新了自己的3D封裝技術(shù)。目前，臺(tái)積電已經(jīng)擁有廣泛的產(chǎn)品組合，包括基片上晶片（CoWoS），集成扇出（InFO-R），晶片上晶片（COW）和晶片上晶片（WoW）。從現(xiàn)在開(kāi)始，臺(tái)積電將所有這些封裝技術(shù)都冠以“ 3DFabric”的商標(biāo)。
除了先進(jìn)的封裝技術(shù)外，臺(tái)積電還在研究硅的替代品，以使芯片進(jìn)一步小型化。主要候選材料是納米片，納米線，高遷移率通道，2D晶體管和碳納米管。
